Tillverkare Produktnummer:
TSM900N10CH X0G
Product Overview
Tillverkare:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Delenummer:
TSM900N10CH X0G-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 15A TO251
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 15A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventarier:
12896997
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TSM900N10CH X0G Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Taiwan Semiconductor
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
90mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
9.3 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1480 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
50W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-251 (IPAK)
Paket / Fodral
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Grundläggande produktnummer
TSM900
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
75
Andra namn
TSM900N10CHX0G
TSM900N10CH X0G-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TSM2308CX RFG
MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23
TSM061NA03CV RGG
MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN
TSM2N100CP ROG
MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO252
